RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Comparar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
14900
Por volta de 1.72 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.5
Largura de banda de memória, mbps
14900
25600
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2065
3242
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link