RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2969
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link