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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2969
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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