RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2113
2468
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link