RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3222
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link