RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 32
    Около 25% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.9 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.1 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 13.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3222

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
модули RAM
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
модули RAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
модули RAM