RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2041
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link