RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
21.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3788
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link