RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2751
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link