RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3879
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link