RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
92
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2055
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 0000 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link