RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
35
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
20
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
4235
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link