RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
3448
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link