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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
12.0
18.0
写入速度,GB/s
7.2
14.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
3448
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-009.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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