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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
8.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
41
左右 -5% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
39
读取速度,GB/s
14.0
8.8
写入速度,GB/s
9.2
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2083
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RAM 1
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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