RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
60
Wokół strony -233% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
18
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3536
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link