RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
79
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
79
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
1710
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-494.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link