RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
21
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3954
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link