RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
73
Wokół strony -329% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3623
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link