RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
33
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
21
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3954
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link