RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3515
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link