RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2853
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link