RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2853
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link