RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2336
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link