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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2336
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparações de RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
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