RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
56
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
56
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2200
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link