RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,034.7
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,295.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,034.7
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
650
3938
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link