RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,034.7
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,295.1
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,034.7
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
650
3792
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link