RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2235
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link