RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
10.3
Скорость записи, Гб/сек
13.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2235
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link