RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
46
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
2235
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link