RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,034.7
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,295.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,034.7
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
650
3726
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link