RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
30
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
30
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
3352
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link