RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2340
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link