Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

総合得点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

総合得点

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

2 16.1

テスト平均値

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

22 92

周辺 -318% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

8.2 1,266.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 6400

周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

92 22
読み出し速度、GB/s

2,105.4 16.1
書き込み速度、GB/秒

1,266.1 8.2
メモリ帯域幅、mbps

6400 21300

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

339 2340

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

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Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 9905702-137.A00G 8GB

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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

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