RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
27
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
27
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
2062
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link