RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3673
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link