RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
20
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
18
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
3529
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link