RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
76
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
76
Prędkość odczytu, GB/s
18.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.9
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3236
1718
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link