RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
3022
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link