RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
3809
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link