RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
3773
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link