RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Porównaj
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3384
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link