RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link