RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3693
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link