RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
13.6
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3693
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KJ9A 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link