RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905744-077.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2685
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link