RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
65
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
49
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
10.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2302
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link