RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
65
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2302
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link