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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
65
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
49
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2302
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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